氧化鋅薄膜的晶格結構
時間：2018-12-08 11:01:36瀏覽量：
優質的氧化鋅薄膜具有C軸擇優取向生長的眾多晶粒，每個晶粒都是生長良好的六角形纖鋅礦結構。按照一般的晶體學模型，氧化鋅晶體是由氧的六角密堆積和鋅的六角密堆積反向嵌套而成的，晶格常數a=0.325nm，c=0.521nm，配位數為4:4，每一個鋅原子都位于4個相鄰的氧原子所形成的四面體間隙中，但只占其中半數的氧四面體間隙，氧原子的排列情況與鋅原子相同。單位晶格中含有兩個分子，體積v=0.047615nm，。因而這種結構比較開放，間隙原子的形成焙比較低，半徑較小的組成原子容易變成間隙原子，如氧化鋅中Zn的濃度比較高。化學計量比的氧化鋅為寬帶隙半導體，禁帶寬度約3.3eV，本征氧化鋅薄膜的電阻率高于106 Ω·cm改變生長、摻雜或退火條件，可形成簡并半導體，導電性能大幅度提高，電阻率可降低到10-4 Ω·cm數量級。
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