一、ZnO電阻片的導電原理研究進展   氧化鋅電阻閥片的導電原理屬于基礎理論研究，國內外對于氧化鋅壓敏陶瓷的研究時間長達三十年，期間，取得了豐碩的研究成果。表1列出了ZnO電阻閥片導電原理的研究狀況。   上個世紀五六十年代，日本率先研究氧化鋅壓敏電阻片導電原理，到目前為止，雪崩擊穿原理、Schottky原理和兩步傳輸理論被比較廣泛地提及和應用。   雪崩擊穿原理，取“雪崩”之名，在于強調其如雪崩一樣綿綿不絕。當單個電子從陰極走向陽極時，在電場強度足夠大的情況下，單個電子與晶體原子相互碰撞，產生新的電離子，然后這兩個電子在走向陽極的過程中又與其他晶體原子相撞，產生其他電子，循環下去，電子就會像雪崩似的綿綿不絕地增加。這個原理與中國道家的“道生一，一生二，二生三，三生萬物”相似。   Schottky勢壘原理研究者很多，也被大多數人廣為接受。圖2為金屬與n型半導體形成的肖特基勢壘圖。肖特基勢壘指的是擁有整流特性的金屬-半導體接觸，它與具有歐姆接觸的絕緣層的空間限制電流不同，空間限制電流不具有整流性。這項原理的應用技術在氧化鋅電阻片的保護和穩壓功能方面具有很好的效用。   兩步傳輸理論的基礎是雙耗盡層模型，它強調電子分兩步進行的傳輸。第一步的傳輸途經是由氧化鋅晶粒到界面層，第二步的途經是由界面層傳到其他的晶粒。與普通半導體導電不同，這種導電方式是雙向的，不受正負電極約束，其優點是可以承受較大電流密度的電流沖擊，響應速度納秒級，可以實現通斷時間與過電壓或者雷電沖擊時間同步，這一顯著優勢奠定了氧化鋅電阻片在高低壓輸電線路、電站、及其它電氣設備最為經濟實用的保護地位，這個理論目前仍在不斷研究中。 更多有關氧化鋅的相關內容請訪問我們的網址：www.jingyutong.com。